职位概述

岗位职责:
1、磊晶结构及元件物理、电学特性分析
2、开发建立TCAD /Silvaco器件仿真模型,着重在GaAs pHEMT,GaAs HBT, GaN HEMT等领域
3、研发及客户服务。

其他要求

  • 岗位要求:
    1、半导体微电子工程、电子信息工程、材料科学或电子物理系等理工科相关专业本科及以上学历;拥有半导体物理等相关基础知识,有半导体产业先关经历者尤佳
    2、熟悉pHEMT/HBT基本工作原理
    3、熟悉专利数据以及技术文献查找流程,具英文读/写能力。
    4、沟通协调能力佳,能吃苦,肯加班,有志长期从事半导体建模、射频技术研发工作,具备良好的团队协作能力。

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